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| Inx—Ga1—xAs／GaAs应变量子阱光学性质 | |
| 作者姓名： | 李锋 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室,北京100083,半导体超晶格国家重点实验室,北京100083,半导体超晶格国家重点实验室,北京100083,表面界面国家重点实验室,北京100083 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
| 摘 要： | 研究了用分子束外延方法生长在GaAs(100)衬底上的In_xGa_(1-x)As/GaAs(x=0.1)应变多量子阱样品,观察了其光荧光谱和光调制反射谱的光谱结构,讨论了有关基态光跃迁和激发态光跃迁性质.根据实验结果给出了能带偏移比值为Q_c=0.69(Q_v=1-Q_c=0.31),并提出有关轻空穴束缚于GaAs层而形成Ⅱ类超晶格的重要佐证. |
| 关 键 词： | 应变量子阱 能带偏移 砷化镓 光谱 |
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