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| CdTe／Dl1—xMnxTe：In应变层量子阱的光荧光光谱 | |
| 引用本文： | 姜山,张家明.CdTe／Dl1—xMnxTe：In应变层量子阱的光荧光光谱[J].红外与毫米波学报,1994,13(3):186-190. |
| 作者姓名： | 姜山 张家明 |
| 摘 要： | 报道了ＭＢＥ生长的ＣｄＴｅ／Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ：Ｉｎ调制掺杂应变层多量子阱材料的光荧光光谱，低温下观察到一个由多电子－单个空穴散射引起的很强的费密边奇异的发光现象，对应于费密边能量位置发光峰有一个很强的增加，使整个发光锋具有明显的非对称性。分析讨论了引起费密边奇异现象的物理机制，测量了７７Ｋ和ＧｄＴｅ／Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ：Ｉｎ样品的调制光谱，与荧光光谱进行比较，结果进一步支持了本文的结论。还测 |
| 关 键 词： | 光荧光 费密边奇异 多量子阱 |
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