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| SOI反偏肖特基势垒动态阈值MOS特性 | |
| 作者姓名： | 毕津顺 海潮和 |
| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| 摘 要： | 将Ti硅化物-p型体区形成的反偏肖特基势垒结构引入绝缘体上硅动态阈值晶体管.传统栅体直接连接DTMOS,为了避免体源二极管的正向开启,工作电压应当低于0.7V.而采用反偏肖特基势垒结构,DTMOS的工作电压可以拓展到0.7V以上.实验结果显示,室温下采用反偏肖特基势垒SOI DTMOS结构,阈值电压可以动态减小200mV.反偏肖特基势垒SOI DTMOS结构相比于传统模式,显示出优秀的亚阈值特性和电流驱动能力.另外,对浮体SOI器件、传统模式SOI器件和反偏肖特基势垒SOI DTMOS的关态击穿特性进行了比较. |
| 关 键 词： | SOI 动态阈值 肖特基势垒 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)09-1526-05 |
| 收稿时间： | 2006-02-21 |
| 修稿时间： | 2006-04-24 |
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