| 256×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究 |
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| 引用本文： | 韩冰,吕衍秋,吴小利,李雪,龚海梅.256×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究[J].激光与红外,2006,36(11):1032-1035. |
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| 作者姓名： | 韩冰 吕衍秋 吴小利 李雪 龚海梅 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100039
2. 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083 |
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| 摘 要： | 利用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过台面制作、硫化后覆盖聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺,制作了台面构造的256×1正照射InGaAs探测器阵列。测试了器件的I-V特性与响应光谱,得出器件的暗电流Id、零偏压电阻R0、G因子;通过信号和噪声的测试,计算出了在278K时的平均峰值探测率为1.33×1012cmHz1/2W-1。256元InGaAs探测器阵列与CTIA结构L128读出电路相互连,经封装后成功制备256×1线列InGaAs短波红外焦平面,在室温(300K)时测得256元响应信号,其响应不均匀性为19.3%。
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| 关 键 词： | 焦平面阵列 硫化 聚酰亚胺 分子束外延 |
| 文章编号： | 1001-5078(2006)11-1032-04 |
| 收稿时间： | 2006-07-25 |
| 修稿时间： | 2006年7月25日 |
Study on 256 × 1 Element Linear InGaAs Short Wavelenth Infrared Focal Plane Array |
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| HAN Bing,L Yan-qiu,WU Xiao-li,LI Xue,GONG Hai-mei.Study on 256 × 1 Element Linear InGaAs Short Wavelenth Infrared Focal Plane Array[J].Laser & Infrared,2006,36(11):1032-1035. |
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| Authors: | HAN Bing L Yan-qiu WU Xiao-li LI Xue GONG Hai-mei |
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| Affiliation: | HAN Bing,L(U) Yan-qiu,WU Xiao-li,LI Xue,GONG Hai-mei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InGaAs |
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