| 基于Si/Si1-xGex/Si异质结双极性晶体管的微波功率器件电流密度的数值拟合计算 |
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| 引用本文： | 张乒,曾健平,文剑,田涛. 基于Si/Si1-xGex/Si异质结双极性晶体管的微波功率器件电流密度的数值拟合计算[J]. 真空电子技术, 2005, 0(1): 24-27 |
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| 作者姓名： | 张乒 曾健平 文剑 田涛 |
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| 作者单位： | 湖南大学,应用物理系,湖南,长沙,410082 |
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| 摘 要： | 采用异质结双台面双极型结构设计微波功率器件,选择Si作发射区和集电区,Si1-xGex合金作基区的n-p-n型异质结双极性晶体管,利用数学方法,通过实验数据,采用MATLAB得到了一个比线性化更精确的禁带宽度Eg在300 K时关于Ge组分变化的方程.并用数值方法计算出集电区电流密度Jc随VBE变化的直流方程,与实验结果相符,并得到一个最佳的Ge组分值.
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| 关 键 词： | 双极型 异质结双极性晶体管 微波功率器件 数值方法 |
| 文章编号： | 1002-8935(2005)01-0024-04 |
| 修稿时间： | 2004-03-17 |
A Numerical Method for Correlating Current Density of the Microwave Power Device Based on Si/Si1-xGex/Si |
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| ZHANG Ping,ZENG Jian-ping,WEN Jian,TIAN Tao. A Numerical Method for Correlating Current Density of the Microwave Power Device Based on Si/Si1-xGex/Si[J]. Vacuum Electronics, 2005, 0(1): 24-27 |
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| Authors: | ZHANG Ping ZENG Jian-ping WEN Jian TIAN Tao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si1-xGex |
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