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30~150MHz宽带双定向耦合器设计
引用本文:童俊,吴国安,占腊民.30~150MHz宽带双定向耦合器设计[J].现代电子技术,2012,35(23):105-108,111.
作者姓名:童俊  吴国安  占腊民
作者单位:华中科技大学光学与电子信息学院,湖北武汉,430074
基金项目:国家自然青年科学基金项目,华中科技大学国防科研自主创新基金2011,中央高校基本科研业务费专项资金资助
摘    要:介绍了基于三线变压器魔T的双定向耦合器工作原理,分析了串联耦合信号与并联耦合信号通过魔T进行同相和反相合成的机理,应用电报方程分析它的阻抗变换特性,得到扭绞三线传输线变压器魔丁的最佳传输条件。设计了一种耦舍度为30dB的宽带双定向耦合器,并对其参数进行了理论分析和测量,满足设计要求,为充带双定向耦合器的设计和优化提供了理论基础。

关 键 词:传输线变压器  宽频带  双定向  魔T  扭绞三线
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