| PECVD法沉积氢化非晶硅薄膜内应力的研究 |
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| 引用本文： | 周顺,刘卫国,刘欢,蔡长龙. PECVD法沉积氢化非晶硅薄膜内应力的研究[J]. 真空科学与技术学报, 2010, 30(4). DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2010.04.01 |
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| 作者姓名： | 周顺 刘卫国 刘欢 蔡长龙 |
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| 作者单位： | 1. 西安电子科技大学微电子学院,西安,710071;西安工业大学陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室,西安,710032
2. 西安工业大学陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室,西安,710032 |
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| 基金项目： | 总装备部先进制造技术项目 |
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| 摘 要： | 利用等离子体增强化学气相沉积技术在硅基底上沉积了氢化非晶硅(α-Si:H)薄膜,通过纳米压入仪、电子薄膜应力分布仪、傅里叶变换红外光谱仪等表征技术,研究了沉积时的工艺参数(射频功率、沉积温度、工作压强)对薄膜内应力的影响,对薄膜的本征应力、热应力进行分析,并探讨了射频功率对薄膜红外吸收光谱的影响。研究结果表明,提高射频功率能够使薄膜从张应力转变为压应力,且压应力随射频功率的增大而增大;提高工作压强能够使薄膜从压应力转变为张应力;应力随沉积温度的升高而增大;薄膜中氢含量、SiH组态、SiH2组态含量随射频功率的增大而增大。通过优化工艺,得到了沉积具有较小张应力薄膜的工艺参数(射频功率30W,沉积温度250℃,气体流量80cm3/min(标准状态),工作压强67Pa),并将其成功应用于非晶硅薄膜自支撑悬空结构。
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| 关 键 词： | 薄膜 内应力 本征应力 氢化非晶硅 等离子体增强化学气相沉积 |
Internal Stress in Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Films Deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition |
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| Zhou Shun,Liu Weiguo,Liu Huan,Cai Changlong. Internal Stress in Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Films Deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2010, 30(4). DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2010.04.01 |
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| Authors: | Zhou Shun Liu Weiguo Liu Huan Cai Changlong |
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