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| 芯片互连层化学机械平坦化过程中材料移除机理研究进展 | |
| 引用本文： | 杭弢,常鹏飞,李明.芯片互连层化学机械平坦化过程中材料移除机理研究进展[J].机械工程学报,2022,58(2):147-158. |
| 作者姓名： | 杭弢 常鹏飞 李明 |
| 作者单位： | 上海交通大学材料科学与工程学院 上海200240 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金重大资助项目(51991374)； |
| 摘 要： | 化学机械平坦化(Chemical mechanical planarization,CMP)是芯片制造中的关键技术,用于实现多种结构表面纳米级别的超精细平坦化.互连层金属和芯片结构中的其他材料性质差异较大,其平坦化过程更加依赖于抛光浆料中的化学组分.协同机理适用于描述金属CMP的材料移除过程:抛光浆料中的化学组分对互连... |
| 关 键 词： | 化学机械平坦化 CMP 抛光液 接触机制 协同机理 |
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