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| GexSi1—x减压化学气相外延过程的流体力学和表面反应动力学分析 | |
| 引用本文： | 金晓军,梁骏吾.GexSi1—x减压化学气相外延过程的流体力学和表面反应动力学分析[J].电子学报,1997,25(8):14-17. |
| 作者姓名： | 金晓军 梁骏吾 |
| 作者单位： | [1]清华大学微电子所 [2]中国科学院半导体所 |
| 摘 要： | 结合流体力学和表面反应动力学分析了ＳｉＨ２Ｃｌ２＋ＧｅＨ４＋Ｈ２减压化学气相外延系统。计算和讨论了由于生长压力的变化而导致的反应管内速度分布，温度分析和反应气体浓度分布的变化。计算了生长温度为７００℃时，ＧｅＳＩ外延层中Ｓｉ，Ｇｅ和ＧｅｘＳｉ１－ｘ生长速度与初始ＧｅＨ４流量的关系。 |
| 关 键 词： | 化学气相外延 流体力学 表面反应动力学 半导体 |
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