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| GaAs/AlGaAs多量子阱材料差分反射光谱 | |
| 作者姓名： | 代作晓 陆书龙 赵明山 李国华 |
| 作者单位： | 曲阜师范大学激光研究所,曲阜,273165;曲阜师范大学激光研究所,曲阜,273165;曲阜师范大学激光研究所,曲阜,273165;曲阜师范大学激光研究所,曲阜,273165 |
| 基金项目： | 教育部科学技术研究项目;Y98G05101; |
| 摘 要： | 介绍了一种新型的空间调制光谱技术—差分反射 ( DR)光谱技术 .利用振动光束差分反射测试系统 ,获得了 Ga As/Al Ga As多量子阱材料的 DR谱 ,初步分析了 DR信号的产生机制 .通过与材料的 PR谱及反射光谱的一阶微商谱比较分析 ,论证了 DR光谱技术用于多量子阱量子化跃迁观测的理论可行性 ,并从实验角度证明了 Ga As/Al Ga As多量子阱材料的 DR谱具有反射率谱对能量的一阶微商线型特征 |
| 关 键 词： | 多量子阱 GaAs/AlGaAs 差分反射光谱 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)11-1099-04 |
| 修稿时间： | 1999-11-08 |
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