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| 无定形锗硅合金的光电特性 | |
| 引用本文： | 李长健,徐温元.无定形锗硅合金的光电特性[J].半导体学报,1985,6(5):518-522. |
| 作者姓名： | 李长健 徐温元 |
| 作者单位： | 南开大学电子科学系 (李长健)，南开大学电子科学系(徐温元) |
| 摘 要： | 用射频溅射方法制备了无定形锗硅合金 a-Si_(1-x)Ge_x: H膜的光学带隙随x值的增加而单调下降.用最小二乘法将光学带隙数据作线性拟合得到E_g(eV)=1.79-0.98x.当膜中锗的原子百分比从0增加到66％时,合金膜室温暗电导率从10~(-10)Q~(-1)cm~(-1)单调上升到10~(-4)Q~(-1)·cm~(-1);电导激活能却从0.84eV单调下降到0.40eV. 用XPS 谱测量合金组分证明锗的溅射速率是硅的1.5倍.测量了光子能量为1.2eV时的吸收系数,结果表明,a-Si(1-x)Ge_x:H比a-Si:H有较多的悬挂键.这些悬挂键在较高氢分压下可部分被饱和. |
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