用于直流变换器的SiC MOSFET驱动电路设计

碳化硅器件的优点不仅能提高电力电子装置功率密度，而且使设备体积小型化。文中设计了一种用于直流变换器的SiC MOSFET驱动电路，通过双脉冲电路对SiC MOSFET的动态特性进行测试，验证不同驱动电阻、不同频率对碳化硅功率器件特性的影响。在直流变换器中使用电压等级相同的SiC MOSFET和Si IGBT，对比开通和关断时间，将不同占空比对应的输出电压进行比较。利用PSpice软件仿真，结果显示驱动电路设计合理，验证了SiC MOSFET具有开关速度快、开关损耗小、驱动电阻小、工作频率高等优点，比Si IGBT控制的直流变换器输出电压误差小。