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| Pn结雪崩击穿噪声的特点及利用 | |
| 引用本文： | 沈福兴.Pn结雪崩击穿噪声的特点及利用[J].半导体技术,1989(6):12-14. |
| 作者姓名： | 沈福兴 |
| 作者单位： | 南通晶体管厂 |
| 摘 要： | 一、雪崩击穿噪声的特点1.pn结击穿噪声为雪崩击穿所特有.图1为击穿电压V_B与击穿噪声密度V_i关系曲线.从图1可以看到,当V_B<3V时噪声可忽略,在3～7V时急剧上升,在7V以上,则呈幂函数关系:V_i≈1.8×10~(-5)V_B~0.222.pn结击穿噪声频带比1/f噪声更宽.1/f噪声主要在1kHz以内,上限0.1～1MHz而雪崩击穿噪声在10kHz以内,上限10～100 |
| 关 键 词： | PN结 击穿噪声 特点 晶体管 |
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