| 用于MEMS结构的光刻胶牺牲层接触平坦化技术 |
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| 引用本文： | 邢向龙,焦继伟,Mark Daffron,王跃林,Hyung Choi. 用于MEMS结构的光刻胶牺牲层接触平坦化技术[J]. 功能材料与器件学报, 2006, 12(2): 135-138,154 |
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| 作者姓名： | 邢向龙 焦继伟 Mark Daffron 王跃林 Hyung Choi |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统于信息技术研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100039;中国科学院上海微系统于信息技术研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200050;Brewer Science, Inc.Rolla, Mo.65401,USA;Samsung Advanced Institute of Technology, 416 Maetan-Dong, Yeongtong-Gu, Suwon, Kyungki-Do 442-742, Korea |
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| 基金项目： | 上海微系统与信息技术研究所与韩国三星综合技术院的项目 |
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| 摘 要： | 实验研究一种新颖的光刻胶牺牲层的接触平坦化(contact planarization)技术,应用于MEMS结构制作.实验研究了温度与光刻胶流动性的关系,以及牺牲层厚度、施加压力和温度、MEMS结构密度等因素对平坦化效果的影响,在优化条件下,牺牲层的起伏台阶从2μm减小到20～40nm.与化学机械抛光技术相比,接触平坦化无明显凹陷(Dishing)效应,无衬底损伤,同时呈现出良好的局部和总体均匀性.
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| 关 键 词： | MEMS 接触平坦化 化学机械抛光 均匀性 凹陷效应 |
| 文章编号： | 1007-4252（2006）02-0135-05 |
| 收稿时间： | 2005-04-11 |
| 修稿时间： | 2005-04-112005-05-27 |
Contact planarization of sacrificial photoresist for MEMS application |
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| XING Xiang-long,JIAO Ji-wei,Mark Daffron,WANG Yue-lin,Hyung Choi. Contact planarization of sacrificial photoresist for MEMS application[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2006, 12(2): 135-138,154 |
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| Authors: | XING Xiang-long JIAO Ji-wei Mark Daffron WANG Yue-lin Hyung Choi |
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| Affiliation: | 1. State Key Laboratory of Transducer Technology, Shanghai Institute of Microsystems and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China; 2. Graduate School of the Chinese Academy of Sciences Beijing 100039, China; 3. Brewer Science, Inc. Rolla, Mo. 65401, USA ; 4 . Samsung Advanced Institute of Technology, 416 Maetan - Dong, Yeongtong - Gu, Suwon, Kyungki - Do 442 -742, Korea |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MEMS contact planarization CMP uniformity dishing effect |
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