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| 不同设计参数对SOI射频开关小信号的影响 | |
| 引用本文： | 莘海维,刘张李. 不同设计参数对SOI射频开关小信号的影响[J]. 电子技术应用, 2019, 45(2) |
| 作者姓名： | 莘海维 刘张李 |
| 作者单位： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司,上海,201203;上海华虹宏力半导体制造有限公司,上海,201203 |
| 摘 要： | 基于0.2μm SOI RF工艺平台,设计了串联支路、并联支路、单刀单掷、单刀双掷等电路结构,分析研究了单级宽度、级联数目、偏置电阻、偏置电压等设计参数对射频开关小信号特性的影响。通过实验数据,讨论各参数对射频开关小信号特性,主要包括射频开关的插入损耗和隔离度的影响,为射频开关设计提供参考。 |
| 关 键 词： | SOI 射频开关 小信号 插入损耗 隔离度 |
Analysis the scatter parameter of SOI RF switch with different design structure |
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