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| SiC MOSFET驱动电路的设计 | |
| 作者姓名： | 李小娜 李艳娜 |
| 作者单位： | 1.山西交通职业技术学院 |
| 摘 要： | 本文对SiCMOSFET的驱动电路进行了优化设计,并采用Boost主电路对该驱动电路进行验证。结果表明,SiCMOSFET具有较快的开关速度。相比SiMOSFET,工作频率为100kHz,上升时间由70ns减小到40ns,下降时间由100ns减小到10ns。 |
| 关 键 词： | SiC MOSFET 驱动电路 Boost升压电路 |
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