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| 用于超精密硅晶片表面的化学机械抛光(CMP)技术研究 | |
| 引用本文： | 梅燕,韩业斌,聂祚仁. 用于超精密硅晶片表面的化学机械抛光(CMP)技术研究[J]. 润滑与密封, 2006, 0(9): 206-212 |
| 作者姓名： | 梅燕 韩业斌 聂祚仁 |
| 作者单位： | 北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022;北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022;北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022 |
| 摘 要： | 化学机械抛光(CMP)技术作为目前唯一的可以提供在整个圆硅晶片上全面平坦化的工艺技术,已被越来越广泛地应用到了半导体领域。重点叙述了CMP技术背景、设备、抛光原理、发展现状、存在的问题以及未来的发展趋势。 |
| 关 键 词： | 化学机械抛光(CMP)技术 浆料 硅片 |
| 文章编号： | 0254-0150(2006)9-206-7 |
| 收稿时间： | 2005-06-21 |
| 修稿时间： | 2005-06-21 |
Research Progress of CMP Technology in Ultra-precision Surface of Single-crystal Silicon |
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| Mei Yan,Han Yebin,Nie Zuoren. Research Progress of CMP Technology in Ultra-precision Surface of Single-crystal Silicon[J]. Lubrication Engineering, 2006, 0(9): 206-212 | |
| Authors: | Mei Yan Han Yebin Nie Zuoren |
| Affiliation: | College of Materials Science and Engineering, Beijing University of Technology, Beijing 100022, China |
| Abstract: | A true global planarization can be achieved only by CMP technology right now,and it is used more and more widely in semi-conductor field.The background of the technology,the used equipment,the mechanism of silicon polishing,the current situation,existent problem and the trend in the future were introduced. |
| Keywords: | chemical mechanical polishing(CMP) technology slurry silicon |
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