DC-20GHz射频MEMS开关 |
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引用本文: | 朱健,林金庭,等.DC-20GHz射频MEMS开关[J].半导体学报,2001,22(6):706-709. |
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作者姓名: | 朱健 林金庭 |
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作者单位: | 南京电子器件研究院,南京210016 |
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摘 要: | 描述了DC-200GHz射频MEMS开关的设计和制造工艺。开关为一薄金属膜桥组成的桥式结构,形成一个单刀单掷(SPST)并联设置的金属-绝缘体-金属接触。开关通过上下电极之间的静电力进行控制,其插入损耗及隔离性能取决于开态和关态的电容。测试结果如下:射频MEMS开关驱动电压约为20V,在“开”态下DC-20GHz带宽的插入损耗小于0.69dB;在“关”态下在14-18GHz时离小于13dB,在18-20GHz时隔离大于16dB。本器作为国内首只研制成功的宽带射频MEMS开关。
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关 键 词: | 微电子机械系统 射频开关 宽带 |
文章编号: | 0253-4177(2001)06-0706-04 |
修稿时间: | 2000年12月20日 |
DC-20GHz RF MEMS Switch |
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