| 表面电场整形高压RESURF LDMOST |
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| 引用本文： | 熊平,卢豫曾.表面电场整形高压RESURF LDMOST[J].微电子学,1996,26(4):221-225. |
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| 作者姓名： | 熊平 卢豫曾 |
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| 作者单位： | 电子科技大学微电子所 |
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| 摘 要： | 提出了采用对ＬＤＭＯＳ漂移区表面进行分段离子注入，对表面电场进行了整形的一种新结构高压ＲＥＳＵＲＦＬＤＭＯＳＴ。利用二维数值模拟对这种器件结构的分析表明，这种新结构显著降低了表面电场峰值，降低了采用ＲＥＳＵＲＦ技术导致的耐压对工艺参数变化的敏感性，并在耐压不降低的情况下缩短器件漂移区长度，得到低的比导通电阻Ｒｏｎ．Ａ。
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| 关 键 词： | 半导体器件 功率器件 LDMOST 高压器件 RESURF |
A Surface Field Shaping High-Voltage RESURF LDMOS Transistor |
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| XIONG Ping and LU Yuzeng.A Surface Field Shaping High-Voltage RESURF LDMOS Transistor[J].Microelectronics,1996,26(4):221-225. |
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| Authors: | XIONG Ping and LU Yuzeng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Semiconductor device Power device LDMOS RESURF High-voltage device |
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