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基于C-SOI工艺的一维MEMS电容式超声传感器阵列
引用本文:李玉平,何常德,张娟婷,张慧,宋金龙,薛晨阳. 基于C-SOI工艺的一维MEMS电容式超声传感器阵列[J]. 传感器与微系统, 2015, 0(3): 94-96,102. DOI: 10.13873/J.1000-9787(2015)03-0094-03
作者姓名:李玉平  何常德  张娟婷  张慧  宋金龙  薛晨阳
作者单位:1. 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西太原030051;中北大学电子测试技术国防科技重点实验室,山西太原030051;2. 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西太原,030051
基金项目:国家自然科学基金资助项目﹙61127008﹚
摘    要:提出了一种新的基于C-SOI工艺制备的电容式微加工超声传感器(CMUT)的方法.通过对加工过程中一些关键工艺步骤进行测试,发现所加工的微传感器尺寸与设计尺寸基本一致,且刻蚀的空腔高度均匀,键合效果良好,证明了工艺流程的可行性.此外,通过对所加工的传感器阵列进行测试发现,各阵元谐振频率和静态电容具有良好的一致性,说明以C-SOI工艺加工的CMUT器件满足设计要求,且适宜加工大阵列,这种加工技术使得加工成像阵列成为可能.

关 键 词:电容式微加工超声传感器  C-SOI工艺  ANSYS  成像阵列  一致性

One-dimensional MEMS capacitive ultrasonic transducer arrays based on C-SOI technology
Abstract:
Keywords:capacitive micromachined ultrasonic transducer (CMUT)  C-SOI technology  ANSYS  imaging array  uniformity
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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