用于实时刻蚀深度控制的光干涉测量法

对等离子体刻蚀工艺过程中进行刻蚀的终点检测主要应用在以下两个方面:一是刻蚀穿透一种材料并在另一种材料的表面刻蚀过程终止,二是在一种材料内刻蚀到所需的深度后终止。在第一种应用中,由于刻蚀过程中不同材料的光发射谱是不一样,因而通常采用OES(光发射谱)方法进行终点检测,在刻蚀去除一种材料进入另一种材料时其光发射谱会产生变化,就可以用作工艺控制的终点检测。然而在第二种应用中,刻蚀过程中并不会出现光发射谱OES的变化,对刻蚀深度的控制通常由设定刻蚀工艺的时间来确定,但这种控制方法在实际工艺中很难达到高的控制精确度和可靠性。