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| Si(100)衬底对ZnO纳米线阵列生长方向的控制作用 | |
| 引用本文： | 唐斌,邓宏,税正伟,张强,郝昕. Si(100)衬底对ZnO纳米线阵列生长方向的控制作用[J]. 微纳电子技术, 2007, 44(3): 125-128 |
| 作者姓名： | 唐斌 邓宏 税正伟 张强 郝昕 |
| 作者单位： | 1. 电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;西南石油大学,理学院,成都,610500 2. 电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054 3. 西南石油大学,理学院,成都,610500 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;四川省应用基础研究计划;国家预研基金 |
| 摘 要： | 采用热分解ZnO粉末法,以Au为催化剂,在Si(100)衬底上外延生长了ZnO纳米线阵列。用扫描电子显微镜(SEM)分析表明:ZnO纳米线的直径在100nm左右,长度约3μm,与衬底表面的夹角约为70.5°,纳米线具有四个特定的倾斜方向A,B,C,D。X射线衍射(XRD)图谱上只有ZnO(0002)衍射峰,说明ZnO纳米线沿C轴择优生长。结合Si与ZnO的晶格结构特征,理论研究得出ZnO纳米线与Si基片的晶格匹配关系为:[0001]_(ZnO)∥[114]_(Si),[0001]_(ZnO)∥[■■4]_(Si),[0001]_(ZnO)∥[1■4]_(Si),[0001]_(ZnO)∥[■14]_(Si),失配度为1.54%。得出了Si(100)衬底对ZnO纳米线生长方向具有控制作用的结论。 |
| 关 键 词： | ZnO纳米线 外延生长 失配度 V-L-S机理 |
| 文章编号： | 1671-4776(2007)03-0125-04 |
| 修稿时间： | 2006-10-11 |
Study on the Control of Growing Orientation of ZnO Nanowires Array by Si (100) Substrate |
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| TANG Bin,DENG Hong,SHUI Zheng-wei,ZHANG Qiang,HAO Xin. Study on the Control of Growing Orientation of ZnO Nanowires Array by Si (100) Substrate[J]. Micronanoelectronic Technology, 2007, 44(3): 125-128 | |
| Authors: | TANG Bin DENG Hong SHUI Zheng-wei ZHANG Qiang HAO Xin |
| Affiliation: | 1.National Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrate Devices University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China 2.School of science, Southwest Petroleum University, Chengdu 610500, China |
| Abstract: | Epitaxial ZnO nanowires array were grown on silicon(100)wafer of 10 mm×10 mm with Au catalysis by thermal evaporation ZnO powders technique. The majority of the nanowires grow in one of the four directions(A,B,C,D)all at an angle of 70.5° off substrate plane with nanowires having an average diameter of 100 nm and lengths of about 3 μm. The XRD pattern indicates ZnO nanowires grow along C axis. The growth mechanism can explain as[0001]_(ZnO)∥[114]_(Si),[0001]_(ZnO)∥[■■4]_(Si),[0001]_(ZnO)∥[1■4]_(Si),[0001]_(ZnO)∥[■14]_(Si) epitaxy and crystal lattice mismatch is 1.54%. Which indicates Si(100)substrate controls growing orientation of ZnO nanowires array. |
| Keywords: | ZnO nanowires epitaxial growth mismatch vapor-liquid-solid(V-L-S)mechanism |
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