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| 原位反应制备SiC多孔陶瓷材料 | |
| 引用本文： | 岳兴媛,陈宇红,詹小友,张月,刘淑君,肖益帆.原位反应制备SiC多孔陶瓷材料[J].中国陶瓷,2013(11):51-54. |
| 作者姓名： | 岳兴媛 陈宇红 詹小友 张月 刘淑君 肖益帆 |
| 作者单位： | 北方民族大学材料学院 |
| 基金项目： | 宁夏自治区大学生创新实验项目(QJCX2012-CL-02) |
| 摘 要： | 以碳化硅(SiC)和氧化铝(A12O3)为起始原料,石墨为造孔剂,通过原位反应结合工艺制备SiC多孔陶瓷。XRD分析表明多孔陶瓷的主相是SiC,结合相是莫来石与方石英;SiC多孔陶瓷的密度在温度1450~1500℃的范围内,随着温度的升高而增大,当温度超过1500℃的密度又随着温度的升高而降低;而密度随着试样中石墨含量的增加而减小。多孔陶瓷中气孔率与密度呈相反的变化趋势,二者呈负相关关系。多孔陶瓷具有较为均匀的气孔结构,具有良好的耐酸腐蚀性,而耐碱腐蚀性相对较低。 |
| 关 键 词： | SiC多孔陶瓷 原位反应 莫来石 气孔率 |
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