凸点结构及电学性能对J-R型静电卡盘吸附力影响的研究 |
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引用本文: | 孙诗壮,赵晋荣.凸点结构及电学性能对J-R型静电卡盘吸附力影响的研究[J].真空科学与技术学报,2023(4):305-313. |
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作者姓名: | 孙诗壮 赵晋荣 |
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作者单位: | 1. 北京工业大学材料与制造学部;2. 北京北方华创微电子有限公司 |
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摘 要: | 真空静电卡盘是半导体工艺中最重要的元件之一,主要应用于集成电路设备和光学设备,起到承载晶圆或衬底的作用。本文利用物理气相沉积的方法制备了J-R型静电卡盘的凸点结构。本研究中搭建了真空腔室,利用了气体背吹法,测试了不同凸点高度、不同吸附电压下约翰逊-拉别克型静电卡盘的吸附力。利用等效电容法,建立了计算凸点电学性能、结构尺寸对静电卡盘吸附力影响的仿真模型。通过仿真计算对吸附力大小的研究表明,由于接触电阻相对较低,文中方法制备的J-R型静电卡盘凸点结构几乎不对硅晶圆产生吸附力。并且随着凸点高度及凸点面积占比增加,静电卡盘对硅晶圆的吸附力降低,同时凸点表面形貌几乎不影响凸点吸附力。本文的研究对J-R效应理论的完善以及静电卡盘的设计具有重要指导意义,为半导体设备的发展提供重要的理论基础。
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关 键 词: | 静电卡盘 J-R效应 接触电阻 气体背吹法 等效电容法 |
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