首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

棒状氧化镓的合成和发光性质研究
引用本文:张士英,庄惠照,薛成山,李保理. 棒状氧化镓的合成和发光性质研究[J]. 功能材料, 2008, 39(4): 681-683
作者姓名:张士英  庄惠照  薛成山  李保理
作者单位:山东师范大学,物理与电子科学学院,半导体研究所,山东,济南,250014;山东师范大学,物理与电子科学学院,半导体研究所,山东,济南,250014;山东师范大学,物理与电子科学学院,半导体研究所,山东,济南,250014;山东师范大学,物理与电子科学学院,半导体研究所,山东,济南,250014
基金项目:国家自然科学基金 , 国家自然科学基金
摘    要:利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射Mo中间层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在氨气中退火合成了大量的一维棒状β-Ga2O3.X射线衍射、选区电子衍射和能量弥散谱的分析结果表明,制备的样品为β-Ga2O3.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现,合成的棒具有直而光滑的表面,其直径在70~200nm左右.室温光致发光谱显示出两个较强的蓝光发射.另外,简单讨论棒状β-Ga2O3的生长机制.

关 键 词:β-Ga2O3 棒  磁控溅射  光致发光
文章编号:1001-9731(2008)04-0681-03
修稿时间:2007-09-14

Growth and optical characterization of Ga2O3 nanorods
ZHANG Shi-ying,ZHUANG Hui-zhao,XUE Cheng-shan,LI Bao-li. Growth and optical characterization of Ga2O3 nanorods[J]. Journal of Functional Materials, 2008, 39(4): 681-683
Authors:ZHANG Shi-ying  ZHUANG Hui-zhao  XUE Cheng-shan  LI Bao-li
Abstract:
Keywords:
本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号