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一款宽带实时延迟线芯片的设计和实现
引用本文:方园,高学邦,吴洪江,喻梦霞.一款宽带实时延迟线芯片的设计和实现[J].半导体技术,2009,34(9).
作者姓名:方园  高学邦  吴洪江  喻梦霞
作者单位:中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051;电子科技大学,成都,610054;中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051;电子科技大学,成都,610054
基金项目:国家重点基础研究发展计划资助(2009CB320200)
摘    要:为降低电子系统在宽带运用中波束倾斜效应的影响,开展了相关的技术研究。简要介绍了实时延迟线电路的基本概念,对电路设计流程进行了阐述。最终成功开发出一款具有小尺寸和优异微波性能的GaAs微波单片集成数控实时延迟线电路。其性能指标为:工作频率2~8GHz,插入损耗≤23dB,总延时量为637.5ps,驻波比≤1.5∶1。同时指出,要获得高精度的实时延迟线芯片,正确选择控制器件的连接方式和分析延时网络的寄生效应是必要的。

关 键 词:宽带  高精度  GaAs微波单片集成电路  实时延迟线  波束倾斜效应

Design and Implementation of a Braodband True-Time Delay Chip
Fang Yuan,Gao Xuebang,Wu Hongjiang,Yu Mengxia.Design and Implementation of a Braodband True-Time Delay Chip[J].Semiconductor Technology,2009,34(9).
Authors:Fang Yuan  Gao Xuebang  Wu Hongjiang  Yu Mengxia
Affiliation:1.The 13th Research Institute;CETC;Shijiazhuang 050051;China;2.University of Electronic Science and Technology;Chengdu 610054;China
Abstract:Due to "beam-squinting" effects which drastically influence the performance of electronic system,the application of time-delay offers an enhanced broadband bandwidth with less "beam-squinting" effects.The design of the broadband GaAs PHEMT monolithic true-time delay was described. The basic concept and design procedures were also introduced.A GaAs MMIC TTD with small size and excellent microwave performances from 2 to 8 GHz band was successfully developed.Insertion loss is less than 23 dB,overall delay time...
Keywords:broadband  high precision  GaAs MMIC  true-time delay  beam-squinting effect  
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