| 低插入损耗高隔离度SOI射频开关电路的研究 |
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| 引用本文： | 田亮,陈磊,周进,黄爱波,赖宗声.低插入损耗高隔离度SOI射频开关电路的研究[J].微电子学,2009,39(5). |
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| 作者姓名： | 田亮 陈磊 周进 黄爱波 赖宗声 |
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| 作者单位： | 1. 华东师范大学,微电子电路与系统研究所,上海,200062
2. 华东师范大学,微电子电路与系统研究所,上海,200062;华东师范大学,纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心,上海,200062 |
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| 基金项目： | 上海AM基金资助项目，上海市科委项目，纳光电教育工程中心(NPAI)资助项目;上海重点学科建设项目 |
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| 摘 要： | 基于0.18μm RF SOI CMOS工艺,提出了一种可广泛应用于无线通信系统中的低插入损耗高隔离度SOI射频开关电路.该电路利用SOI器件的特殊结构(隐埋氧化层BOX,高阻衬底)和特殊SOI器件(FB,BC,BT等),使电路采用的器件较之体硅CMOS器件具有更优的隔离性能,实现了降低插入损耗和增加隔离度的目的.该电路经过模拟仿真,在频率为2.4 GHz时,插入损耗和隔离度分别为-1 dB和40 dB.
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| 关 键 词： | 射频开关 低插入损耗 高隔离度 |
Investigation into Low Insertion-Loss & High Isolation SOI RF Switch |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SOI CMOS |
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