大功率CO2脉冲激光辐照掺锑,铝的研究 |
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引用本文: | 陈第虎,范安辅.大功率CO2脉冲激光辐照掺锑,铝的研究[J].半导体技术,1996(2):44-47. |
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作者姓名: | 陈第虎 范安辅 |
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作者单位: | 中山大学物理系,四川大学物理系 |
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摘 要: | 采用电子束放电控制的CO2脉冲激光辐照单晶硅片掺入杂质锑、铝获得成功,并制成大面积PN结,发现了一种适合大功率CO2脉冲激光器应用于半导体掺杂新方法。通过卢瑟福背散射、阳极氧化等方法的研究,证明CO2脉冲激光辐照在硅中掺杂形成的PN结是浅突变结,结深约为0.2 ̄0.7um。对硅片预热温度、激光重复脉冲次数等工艺条件进行了研究,并从理论上进行了掺杂机理的分析。
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关 键 词: | 脉冲激光辐照 PN结 激光诱导 掺杂 二氧化碳 锑 |
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