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| 离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结I–V、RD–V特性的研究（下） | |
| 引用本文： | 何 波,徐 静,马忠权,史衍丽,赵 磊,李 凤,孟夏杰,沈 玲.离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结I–V、RD–V特性的研究（下）[J].红外,2009,30(2):33-40. |
| 作者姓名： | 何 波 徐 静 马忠权 史衍丽 赵 磊 李 凤 孟夏杰 沈 玲 |
| 作者单位： | 何 波:上海大学理学院物理系，上海 200444 徐 静:武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室，湖北 武汉 430070 马忠权:上海大学理学院物理系，上海 200444 史衍丽:昆明物理研究所，云南 昆明 650223 赵 磊:上海大学理学院物理系，上海 200444 李 凤:上海大学理学院物理系，上海 200444 孟夏杰:上海大学理学院物理系，上海 200444 沈 玲:上海大学理学院物理系，上海 200444 |
| 基金项目： | 上海市教委创新基金(No.08YZ12)， 上海大学–索朗光伏材料与器件R&D联合实验室的发展基金2.15cm(No.SS–E0700601)资助 |
| 摘 要： | 本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结I–V特性的公式和方法，并应 用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的I–V、RD–V特性进行了计算和拟合；得到了表面欧姆(反型沟道)漏 电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明，对于长波HgCdTe 光伏器件而言，表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大，表面漏电流严重地制约着器件性能。HgCdTe 材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大，从而使产生–复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。 |
| 关 键 词： | HgCdTe 环孔pn结 I–V特性 动态电阻 表面漏电流 |
| 收稿时间： | 2008/9/5 |