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| SI—GaAs中的EL2和EL6缺陷团簇相关性研究 | |
| 引用本文： | 赵周英,吴凤美.SI—GaAs中的EL2和EL6缺陷团簇相关性研究[J].功能材料与器件学报,1996,2(1):32-36. |
| 作者姓名： | 赵周英 吴凤美 |
| 作者单位： | [1]南京电子器件研究所 [2]南京大学物理系 |
| 摘 要： | 用光致电流瞬态谱（ＰＩＴＳ）方法研究了ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ原生单晶经常规退火和等时快速退火（ＲＴＡ）深能级缺陷的变化。缺陷ＥＬ２（Ｅｃ－０．８２ｅＶ）ＥＬ１２（Ｅｃ－０．７９ｅＶ）表现出类似的ＲＴＡ特性，应属于ＥＬ２缺陷团簇；缺陷ＥＬ６（Ｅｃ－０．３８ｅＶ），ＥＬ８（Ｅｃ－０．２７ｅＶ）和ＥＬ９（Ｅｃ－０．２４ｅＶ０亦具有相似的ＲＴＡ特性，属ＥＬ６缺陷团簇。实验发现，在热退火中，ＥＬ２团簇缺陷密度 |
| 关 键 词： | 热退火 相关性 缺陷团簇 单晶 深能级 缺陷 |
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