| n型GaSb,InGaAsSb的MBE生长和特性研究 |
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| 引用本文： | 郑燕兰,李爱珍,王建新,茹国平,李存才,胡建.n型GaSb,InGaAsSb的MBE生长和特性研究[J].功能材料与器件学报,1996,2(4):260-263. |
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| 作者姓名： | 郑燕兰 李爱珍 王建新 茹国平 李存才 胡建 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室 |
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| 摘 要： | 本文报导了非故意掺杂ＩｎＧａＡｓＳｂ本底浓度的降低和掺Ｔｅｎ型ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的ＭＢＥ生长与特性的研究结果。结果表明，通过生长工艺的优化，ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的背景空穴浓度可分别降至１．１×１０~（１６）ｃｍ~（－３）和４×１０~（１６）ｃｍ~（－３），室温空穴迁移率分别为９４０ｃｍ２／ｖ．ｓ和２６０ｃｍ~２／ｖ．ｓ。用Ｔｅ作ｎ型掺杂剂，可获得载流子浓度在１０~（１６）～１０~（１８）ｃｍ~（－３）的优质ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ外延层，所研制的材料已成功地制备出Ｄ_λ~＊＝４×１０~（１０）ｃｍＨｚ~（１／２）／Ｗ的室温ＩｎＧａＡｓＳｂ红外探测器和室温脉冲ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ双异质结激光器。
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| 关 键 词： | InGaAsSb 掺杂 半导体 锑化物 MBE |
MBE GROWTH AND CHARACTERIZATION OF N-TYPE GaSb AND InGaAsSb |
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| ZHENG Yanlan,LI Aizhen,WANG Jianxin,RU Guoping,LI Cuncai and HU Jian.MBE GROWTH AND CHARACTERIZATION OF N-TYPE GaSb AND InGaAsSb[J].Journal of Functional Materials and Devices,1996,2(4):260-263. |
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| Authors: | ZHENG Yanlan LI Aizhen WANG Jianxin RU Guoping LI Cuncai and HU Jian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InGaAsSb doping carrier concentration |
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