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含集总元件的微带电路FDTD仿真
引用本文:赵海洲,李烟. 含集总元件的微带电路FDTD仿真[J]. 现代电子技术, 2009, 32(21): 19-24
作者姓名:赵海洲  李烟
作者单位:空军工程大学,导弹学院,陕西,三原,713800
基金项目:陕西省自然科学基金资助项目 
摘    要:从Maxwell旋度方程出发,根据集总元件的伏安特性,推导了电阻、电容、电感、二极管、三极管等基本微波电路元件的单网格和多网格FDTD模型。单网格模型是不论集总元件的形状和大小都只占据一个网格的处理方法;多网格模型则是根据集总元件的实际形状和大小将元件跨接在多个网格上,显然这种处理方法更符合实际情况。最后仿真了一个由单个元件组成的简单微带电路——上限限幅器。仿真结果与理论结果吻合得很好,证明了仿真结果的正确性。

关 键 词:集总元件  FDTD  单网格模型  多网格模型

Simulation of Microstrip Circuits with Microwave Devices by FDTD Method
ZHAO Haizhou,LI Yan. Simulation of Microstrip Circuits with Microwave Devices by FDTD Method[J]. Modern Electronic Technique, 2009, 32(21): 19-24
Authors:ZHAO Haizhou  LI Yan
Abstract:
Keywords:FDTD
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