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| 3.4nm超薄SiO2栅介质的特性 | |
| 作者姓名： | 许晓燕 谭静荣 高文钰 黄如 田大宇 张兴 |
| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所,北京 100871 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金,国家重点基础研究发展计划(973计划),69976001,20000365,, |
| 摘 要： | 用LOCOS工艺制备出栅介质厚度为3.4nm的MOS电容样品,通过对样品进行I-V特性和恒流应力下V-t特性的测试,分析用氮气稀释氧化法制备的栅介质的性能,同时考察了硼扩散对栅介质性能的影响.实验结果表明,制备出的3.4nm SiO2栅介质的平均击穿场强为16.7MV/cm,在恒流应力下发生软击穿,平均击穿电荷为2.7C/cm2.栅介质厚度相同的情况下,P+栅样品的击穿场强和软击穿电荷都低于N+栅样品. |
| 关 键 词： | 超薄栅介质 软击穿 硼扩散 |
| 文章编号： | 0372-2112(2002)02-0269-02 |
| 收稿时间： | 2001-02-16 |
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