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| ICP-AES法同时测定铝镁锗硅合金中铝、镁、锗、硅 | |
| 引用本文： | 赵玉珍,吕佩德.ICP-AES法同时测定铝镁锗硅合金中铝、镁、锗、硅[J].现代仪器,1998(1). |
| 作者姓名： | 赵玉珍 吕佩德 |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所 北京 100080，北京 100080 |
| 摘 要： | 本文报道了用具有二维电荷注入检测器(CID)和端视等离子体炬的全谱直读等离子体光谱仪,同时测定Al-Mg-Ge-Si合金中Al-Mg-Ge-Si的方法。试样用HNO_3-HF溶解后,加H_3BO_3络合过量的F,并用其中的B为内标进行测定,以改善测量的精密度与准确度。合成试样的回收率为 99.1％～101.0％,样品测定的相对标准偏差小于1％。方法简便、准确,用于样品分析,结果满意。 |
| 关 键 词： | ICP—AES Al—Mg—Ge—Si合金 Al Mg Ge Si |
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