| 高亮度InGaN基白光LED特性研究 |
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| 作者姓名： | 李忠辉 丁晓民 杨志坚 于彤军 张国义 |
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| 作者单位： | 北京大学物理学院介观物理国家重点实验室,北京,1000871;北京大学宽禁带半导体研究中心,北京,100871;北京大学物理学院介观物理国家重点实验室,北京,1000871;北京大学宽禁带半导体研究中心,北京,100871;北京大学物理学院介观物理国家重点实验室,北京,1000871;北京大学宽禁带半导体研究中心,北京,100871;北京大学物理学院介观物理国家重点实验室,北京,1000871;北京大学宽禁带半导体研究中心,北京,100871;北京大学物理学院介观物理国家重点实验室,北京,1000871;北京大学宽禁带半导体研究中心,北京,100871 |
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| 基金项目： | 国家“8 63”计划招标项目 (批准号 2 0 0 1AA3 13 14 0 ) ~~ |
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| 摘 要： | 利用自行研制的InGaN GaNSQW蓝光LED芯片和YAG :Ge3 荧光粉制作了高亮度白光LED(Φ3) ,并对其发光强度、色度坐标、I V、色温及显色性等特性进行了研究 .实验结果表明 :室温下 ,正向电流为 2 0mA时 ,白光LED的轴向发光强度为 1 1～ 2 3cd ,正向电压小于 3 5V ,色度坐标为 (0 2 8,0 34) ,显色指数约为 70 .
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| 关 键 词： | 光源 InGaN YAG 白光LED |
| 收稿时间： | 2002-02-21 |
| 修稿时间： | 2002-02-21 |
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