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| 利用光电导开关的光电子相关测量 | |
| 引用本文： | 李锦林, 王大鹏. 利用光电导开关的光电子相关测量[J]. 电子与信息学报, 1990, 12(5): 542-545. |
| 作者姓名： | 李锦林 王大鹏 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 北京 (李锦林),中国科学院半导体研究所 北京(王大鹏) |
| 摘 要： | 本文在实验的基础上,提出了光电导开关等效时变电导的新表达式。据此分析了光电导开关在高速脉冲的产生和取样以及在光电子相关测量中的特性。分析的结果与实验基本一致,为将来利用光电子相关方法测量电子器件打下了基础。在实验中采用较为简单的工艺,获得光电导开关的上升时间为100ps。相信,只要增加离子轰击处理,上升时间可望达到10ps。 |
| 关 键 词： | 光电导开关 瞬态测量 相关测量 |
| 收稿时间： | 1988-09-27 |
| 修稿时间： | 1989-06-19 |
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