| 一种新结构IGBT--内透明集电极IGBT的仿真 |
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| 引用本文： | 王浩,胡冬青,吴郁,周文定,亢宝位.一种新结构IGBT--内透明集电极IGBT的仿真[J].半导体学报,2008,29(2):348-351. |
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| 作者姓名： | 王浩 胡冬青 吴郁 周文定 亢宝位 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100022 |
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| 摘 要： | 对新近提出的一种新结构的IGBT--内透明集电极IGBT进行了器件性能的仿真.这种IGBT是在传统非透明集电极IGBT结构基础上,通过在集电区内距离集电结很近处设置一个高复合层的方法,使器件在物理上实现了集电极对电子的透明,同时又避免了低压透明集电极IGBT制造过程中超薄片操作的技术难题.对器件的温度特性和关断特性进行了仿真研究,并与现行PT-IGBT和FS-IGBT进行了比较.仿真结果表明,通过合理调整内透明集电极IGBT的参数组合,可以使其在具有通态压降正温度系数的同时,又具有较快的关断速度,实现透明集电极IGBT的优良性能.
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| 关 键 词： | 内透明集电极 PT-IGBT NPT-IGBT 高复合层 |
| 文章编号： | 0253-4177（2008）02-0348-04 |
| 收稿时间： | 2007-08-03 |
| 修稿时间： | 2007-09-04 |
A New Structural IGBT-- an Internal Transparent Collector IGBT and Its Simulation |
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| Wang Hao,Hu Dongqing,Wu Yu,Zhou Wending and Kang Baowei.A New Structural IGBT-- an Internal Transparent Collector IGBT and Its Simulation[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(2):348-351. |
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| Authors: | Wang Hao Hu Dongqing Wu Yu Zhou Wending and Kang Baowei |
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| Affiliation: | Department of Electronic Science & Technology, Beijing University of Technology, Beijing 100022, China;Department of Electronic Science & Technology, Beijing University of Technology, Beijing 100022, China;Department of Electronic Science & Technology, Beijing University of Technology, Beijing 100022, China;Department of Electronic Science & Technology, Beijing University of Technology, Beijing 100022, China;Department of Electronic Science & Technology, Beijing University of Technology, Beijing 100022, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | internal transparent collector PT-IGBT NPT-IGBT high recombination region |
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