| P型张应变Si/SiGe量子阱红外探测器的能带设计 |
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| 作者姓名： | 邓和清 林桂江 赖虹凯 李成 陈松岩 余金中 |
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| 作者单位： | [1]厦门大学物理系厦门大学半导体光子学研究中心,厦门361005 [2]中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 提出P型张应变Si/SiGe量子阱红外探测器(QWIP)结构,应用k·P方法计算应变Si/SiGe量子阱价带能带结构和应变SiGe合金空穴有效质量.结果表明量子阱中引入张应变使轻重空穴反转,基态为有效质量较小的轻空穴态,因此P型张应变Si/SiGe QWIP与n型QWIP相比具有更低的暗电流;而与P型压应变或无应变QWIP相比光吸收和载流子输运特性具有较好改善.在此基础上讨论了束缚态到准束缚态子带跃迁型张应变p-Si/SiGe QWIP的优化设计.
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| 关 键 词： | 张应变 锗硅量子阱 红外探测器 |
| 文章编号： | 0253-4177(2008)04-0785-04 |
| 收稿时间： | 2007-09-17 |
| 修稿时间： | 2007-09-17 |
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