| 取向硅钢中铜硫化物结构稳定性的赝势平面波法研究 |
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| 引用本文： | 何寒,曹建春,周晓龙,雍岐龙. 取向硅钢中铜硫化物结构稳定性的赝势平面波法研究[J]. 热加工工艺, 2010, 39(10) |
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| 作者姓名： | 何寒 曹建春 周晓龙 雍岐龙 |
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| 作者单位： | 1. 昆明理工大学,材料科学与工程学院,云南,昆明,650093
2. 钢铁研究总院结构材料研究所,北京,100081 |
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| 摘 要： | 基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法计算研究了取向硅钢中可能存在的两种铜硫化物抑制剂Cu2S和CuS的能量和电子结构,并从形成能和结合能两方面分析了这两种铜硫化物的相结构稳定性.结果表明:Cu2S具有较强的形成能力和更稳定的结构.计算电子态密度(DOS)的结果为:Cu2S和CuS费米能级处的态密度分别为1.65/eV和2.28/eV;Cu2S的赝能隙比CuS更宽些.这些结论也证明了Cu2S具有更稳定的结构.
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| 关 键 词： | 铜硫化物 第一性原理计算 结构稳定性 电子结构 |
Study on Structural Stability of Copper Sulfide in Grain-oriented Silicon Steel Based on Pseudopotential Plane-wave Method |
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| HE Han,CAO Jianchun,ZHOU Xiaolong,YONG Qilong. Study on Structural Stability of Copper Sulfide in Grain-oriented Silicon Steel Based on Pseudopotential Plane-wave Method[J]. Hot Working Technology, 2010, 39(10) |
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| Authors: | HE Han CAO Jianchun ZHOU Xiaolong YONG Qilong |
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