| SIMOX薄膜材料的红外光谱特性和薄膜厚度的非破坏性测量方法 |
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| 引用本文： | 卢殿通,P L F Hemment.SIMOX薄膜材料的红外光谱特性和薄膜厚度的非破坏性测量方法[J].半导体学报,2000,21(10):993-998. |
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| 作者姓名： | 卢殿通 P L F Hemment |
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| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所!北京市辐射中心，北京100875，DepartmentofElectronicandElectricalEngineering!UniversityofSurrey，Guilford，SurreyGU25XH，UK |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;F040105; |
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| 摘 要： | 报道了 SOI材料薄膜厚度的非破坏性快速测量方法 ,详细地研究了 SIMOX材料的红外吸收光谱特性 ,求出了特征峰对应的吸收系数 .提出利用红外吸收光谱测量 SIMOX绝缘埋层厚度的非破坏性方法 ,并根据离子注入原理计算出表面硅层的厚度 .SIMOX薄膜的表层硅和绝缘埋层的厚度是 SOI电路设计时最重要的两个参数 ,提供的非破坏性测量方法 ,测量误差小于5% .在 SIMOX材料开发利用、批量生产中 ,用此方法可及时方便地检测 SIMOX薄膜的表层硅和绝缘埋层的厚度 ,随时调整注入能量和剂量
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| 关 键 词： | SIMOX薄膜 红外光谱 非破坏性测量 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)10-0993-06 |
| 修稿时间： | 1999年6月30日 |
IR Properties in SIMOX Films and New Nondestructive Method Determining Thickness of Buried SiO2 Layers and Surface Si Layers |
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| LU Dian\|tong,and P.L.F.Hemment.IR Properties in SIMOX Films and New Nondestructive Method Determining Thickness of Buried SiO2 Layers and Surface Si Layers[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(10):993-998. |
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| Authors: | LU Dian\|tong and PLFHemment |
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| Affiliation: | LU Dian\|tong 1 and P.L.F.Hemment 2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SIMOX film IR spectra nondestructive method of measurement |
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