| 氮化镓粉末的合成及其结构性质的研究 |
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| 引用本文： | 肖洪地,马洪磊,薛成山,马瑾,宗福建,张希键,计峰,胡文容.氮化镓粉末的合成及其结构性质的研究[J].功能材料,2004,35(Z1):221-223. |
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| 作者姓名： | 肖洪地 马洪磊 薛成山 马瑾 宗福建 张希键 计峰 胡文容 |
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| 作者单位： | 肖洪地（山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100）;马洪磊（山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100）;薛成山（山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014）;马瑾（山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100）;宗福建（山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100）;张希键（山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100）;计峰（山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100）;胡文容（山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100） |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(90301002,90201025) |
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| 摘 要： | 在950℃氮化温度下,通过β-Ga2O3粉末与流动的NH3反应35min制备出GaN粉末.XRD、XPS、FTIR、TEM的测量结果表明GaN粉末是六角纤锌矿结构的单晶晶粒,其晶格常数a=0.3191nm,c=0.5192nm;在粉末表面,Ga和N两种元素比约为11;GaN晶粒的形状为棒状.
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| 关 键 词： | Ga2O3粉末 GaN粉末 氮化温度 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-0221-03 |
| 修稿时间： | 2004年2月27日 |
Study of Synthesis of GaN powders and its structural properties |
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