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氮化镓粉末的合成及其结构性质的研究
引用本文:肖洪地 马洪磊 薛成山 马瑾 宗福建 张希键 计峰 胡文容. 氮化镓粉末的合成及其结构性质的研究[J]. 功能材料, 2004, 35(Z1): 221-223
作者姓名:肖洪地 马洪磊 薛成山 马瑾 宗福建 张希键 计峰 胡文容
作者单位:肖洪地(山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100);马洪磊(山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100);薛成山(山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014);马瑾(山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100);宗福建(山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100);张希键(山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100);计峰(山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100);胡文容(山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100)
基金项目:国家自然科学基金资助项目(90301002,90201025)
摘    要:
在950℃氮化温度下,通过β-Ga2O3粉末与流动的NH3反应35min制备出GaN粉末.XRD、XPS、FTIR、TEM的测量结果表明GaN粉末是六角纤锌矿结构的单晶晶粒,其晶格常数a=0.3191nm,c=0.5192nm;在粉末表面,Ga和N两种元素比约为11;GaN晶粒的形状为棒状.

关 键 词:Ga2O3粉末  GaN粉末  氮化温度
文章编号:1001-9731(2004)增刊-0221-03
修稿时间:2004-02-27

Study of Synthesis of GaN powders and its structural properties
Abstract:
Keywords:
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