| 探测功率10^—10W的光电器件的计算与设计 |
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| 引用本文： | 陈定钦. 探测功率10^—10W的光电器件的计算与设计[J]. 半导体光电, 1989, 10(4): 56-61 |
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| 作者姓名： | 陈定钦 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体所 |
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| 摘 要： | 本文计算和比较了 Ge、Si、GaAs 器件的热噪声、信号电压、信/噪比、得到了制造功率为10~(-10)W 光电探测器的有效途径和实验方案。认为采用 P~+型衬底、外延高阻 P 型 Si、或用电阻率2Ω-cm 的 P 型 Si,制作光电倍增(雪崩)二极管,可以探测最小功率为10~(-)W,此时信/噪比达到1:4,电流灵敏度可提高10倍。
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| 关 键 词： | 光电器件 计算 设计 光电探测器 |
Calculation and Design of Photodiode with Noise Equivalent Power of 10~(-10)W |
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| Chen Dingqin Institute of semiconductor,Academiy of Sciences Sinica. Calculation and Design of Photodiode with Noise Equivalent Power of 10~(-10)W[J]. Semiconductor Optoelectronics, 1989, 10(4): 56-61 |
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| Authors: | Chen Dingqin Institute of semiconductor Academiy of Sciences Sinica |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Material Performance |
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