| 真空蒸镀ITO薄膜退火特性分析 |
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| 引用本文： | 许晶,桂太龙,梁丽超,王玥.真空蒸镀ITO薄膜退火特性分析[J].哈尔滨理工大学学报,2008,13(1):93-95. |
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| 作者姓名： | 许晶 桂太龙 梁丽超 王玥 |
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| 作者单位： | 哈尔滨理工大学应用科学学院,黑龙江,哈尔滨,150080 |
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| 基金项目： | 黑龙江省自然科学基金
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黑龙江省教育厅科学技术研究项目 |
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| 摘 要： | 采用真空蒸发镀膜工艺制备了ITO透明导电薄膜,以四探针表面电阻仪测量得薄膜方块电阻为400Ω,用组合式多功能光栅光谱仪测得透光率为80%,利用扫描电镜测得膜厚为103 nm.用XRD分析了薄膜的物相,并用原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌及粗糙度.对薄膜进行退火处理,结果表明,随着热处理温度的升高,晶化趋于完整,组织结构逐渐均匀致密,晶粒有所长大.随退火时间的增加,透光率增加,但方块电阻先减小后增加.
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| 关 键 词： | 铟锡氧化物 真空蒸发镀膜 方阻 透光率 |
| 文章编号： | 1007-2683(2008)01-0093-03 |
| 修稿时间： | 2006年12月22 |
Analysis on the Annealing Properties of ITO Thin Film Prepared by Vacuous Evaporation Method |
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| XU Jing,GUI Tai-long,LIANG Li-chao,WANG Yue.Analysis on the Annealing Properties of ITO Thin Film Prepared by Vacuous Evaporation Method[J].Journal of Harbin University of Science and Technology,2008,13(1):93-95. |
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| Authors: | XU Jing GUI Tai-long LIANG Li-chao WANG Yue |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ITO evaporation sheet resistance penetration coefficient |
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