公共支路阻抗耦合对碳化硅MOSFET器件并联电流分配的影响及优化 |
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引用本文: | 赵斌,柯俊吉,孙鹏,蔡雨萌,赵志斌.公共支路阻抗耦合对碳化硅MOSFET器件并联电流分配的影响及优化[J].中国电机工程学报,2022(7):2638-2650. |
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作者姓名: | 赵斌 柯俊吉 孙鹏 蔡雨萌 赵志斌 |
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作者单位: | 1. 新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学);2. 上海贝岭股份有限公司 |
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摘 要: | 为了评估公共支路阻抗耦合效应对碳化硅MOSFET器件并联动静态电流分配的影响,改善并联器件间电流分配的一致性,首先建立包含关键寄生电阻和寄生电感的等效电路模型,分析公共支路阻抗耦合对并联器件动态和静态电流分配的影响。然后,针对不同应用工况下并联器件个数不同的问题,提出n个器件并联支路阻抗补偿的方法。通过对并联器件的漏极测和源极侧阻抗进行补偿,可以消除公共支路阻抗耦合效应对并联器件动静态电流分配的影响。最后,搭建支路阻抗补偿前和补偿后的仿真电路和实验平台。结果表明,通过对并联器件支路阻抗进行补偿,可提升并联器件动静态电流分配的一致性,验证了该方法的有效性。
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关 键 词: | 碳化硅MOSFET 电流分配 公共支路阻抗耦合 支路阻抗补偿 |
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