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| 非晶硅TFT强光稳定性的研究及改善 | |
| 引用本文： | 张亚军,叶发科,陆磊,Simon Han,Gilbert Seo.非晶硅TFT强光稳定性的研究及改善[J].现代信息科技,2022(2):43-47. |
| 作者姓名： | 张亚军 叶发科 陆磊 Simon Han Gilbert Seo |
| 摘 要： | 随着显示产业的迅猛发展,大尺寸、宽色域、高动态范围(HDR)和高亮度给薄膜晶体管(TFT)面板带来了更大的挑战.经过测试,在40000 nit高亮度背光照明下,经过500小时照明,面板的充电能力衰减幅度高达13％.其机理与TFT结构密切相关,如栅极的功函数和栅极绝缘层(GI)的光学带隙(Eg).经研究,通过将GI层光学... |
| 关 键 词： | LCD a-Si TFT PECVD 高亮度 |