| 塑封铜引线集成电路开封方法 |
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| 引用本文： | 龚国虎,梁栋程,梁 倩.塑封铜引线集成电路开封方法[J].太赫兹科学与电子信息学报,2015,13(6):1005-1008. |
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| 作者姓名： | 龚国虎 梁栋程 梁 倩 |
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| 作者单位： | Metrology and Testing Center，China Academy of Engineering Physics，Mianyang Sichuan 621999，China,Metrology and Testing Center，China Academy of Engineering Physics，Mianyang Sichuan 621999，China and Metrology and Testing Center，China Academy of Engineering Physics，Mianyang Sichuan 621999，China |
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| 摘 要： | 在集成电路高速发展的时代，内引线为铜的集成电路因为低廉的价格和性能方面的优势，将越来越多地被制造和改进，破坏性物理分析(DPA)中也将会遇到大量的塑封铜引线集成电路，这类器件开封容易引起铜引线、键合点的腐蚀等问题。对这类器件研究后的开封方法是：激光开封后一定比例的混酸腐蚀能使铜线和键合点完好保留，芯片表面无塑封料残留。本文提供了一种对塑封铜引线集成电路进行开封的可靠方法。
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| 关 键 词： | 铜线 集成电路 开封 破坏性物理分析 |
| 收稿时间： | 2014/10/15 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2014/12/11 0:00:00 |
Decapsulation method with plastic encapsulated integrated circuit of copper wire |
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| GONG Guohu,LIANG Dongcheng and LIANG Qian.Decapsulation method with plastic encapsulated integrated circuit of copper wire[J].Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology,2015,13(6):1005-1008. |
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| Authors: | GONG Guohu LIANG Dongcheng and LIANG Qian |
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