| 利用空气桥技术实现InP基共振遂穿二极管器件 |
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| 引用本文： | 韩春林,邹鹏辉,高建峰,薛舫时,张政,耿涛,陈辰. 利用空气桥技术实现InP基共振遂穿二极管器件[J]. 中国电子科学研究院学报, 2009, 4(5): 516-518 |
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| 作者姓名： | 韩春林 邹鹏辉 高建峰 薛舫时 张政 耿涛 陈辰 |
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| 作者单位： | 单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京电子器件研究所,南京,210016;单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京电子器件研究所,南京,210016;单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京电子器件研究所,南京,210016;单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京电子器件研究所,南京,210016;单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京电子器件研究所,南京,210016;单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京电子器件研究所,南京,210016;单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京电子器件研究所,南京,210016 |
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| 摘 要： | 优化设计了InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管（RTD）材料结构,并用MBE设备在（100）半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性：峰值电流密度78kA/cm2,峰谷电流比（PVCR）为7.8。利用空气桥互连技术实现该类器件,在国内尚属首次。
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| 关 键 词： | 共振遂穿二极管 电子束光刻 空气桥 |
Realization of InP base Resonant Tunneling Diodes Through Air-bridge Technology |
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