| 中子辐照GaAs的变温正电子寿命研究 |
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| 引用本文： | 郁伟中 徐文耀. 中子辐照GaAs的变温正电子寿命研究[J]. 核技术, 1994, 17(10): 608-612 |
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| 作者姓名： | 郁伟中 徐文耀 |
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| 作者单位： | 清华大学，天津机电部４６所，中国原子能科学研究所 |
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| 摘 要： | ![]()
用正电子湮没寿命谱研究中子辐照前后半绝缘ＧａＡｓ在等时退火过程中的缺陷行为．发现辐照后的样品大约从７０℃起空位－填隙子对和空位－反格点缺陷开始复合．５００℃前空位和空位团可消除．７４０℃后可能会重新产生缺陷。ＶＡｓ是一种浅势阱，对正电子的束缚能大约为０．０３１－０．０３２ｅＶ。
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| 关 键 词： | 砷化镓 中子辐照 正电子湮灭 |
A study of neutron irradiated GaAs by positron lifetime method |
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| Yu Weizhong,Fu Daqian. A study of neutron irradiated GaAs by positron lifetime method[J]. Nuclear Techniques, 1994, 17(10): 608-612 |
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| Authors: | Yu Weizhong Fu Daqian |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | GaAs Positron annihilation |
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