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固体电介质中电致陷阱产生的研究
引用本文:刘付德,屠德民,刘耀南. 固体电介质中电致陷阱产生的研究[J]. 电工技术学报, 1992, 0(1)
作者姓名:刘付德  屠德民  刘耀南
作者单位:西安交通大学,西安交通大学,西安交通大学
摘    要:本文提出用表面电位测试技术研究固体电介质在强电场作用下产生陷阱的规律,分析表明这种方法是可行的。对PET和PP介质薄膜,实验表明:在所进行的电场作用时间范围内,使介质产生陷阱的临界电场为1×10~8V/m;在一设定的电场作用下,场致陷阱产生与施加电场作用的时间成正比;在一设定的电场作用时间下,场致陷阱产生随施加电场的指数而变化。以陷阱产生发展到一定程度时介质便发生击穿作击穿的临界条件,则从理论上导出电场作用下电介质的寿命随电场的增强而指数下降。

关 键 词:固体电介质  陷阱  表面电位测试

Trap Creation in Solid Dielectrics under Strong Electrical Strength
Liu Fude Tu Demin Liu Yaonan. Trap Creation in Solid Dielectrics under Strong Electrical Strength[J]. Transactions of China Electrotechnical Society, 1992, 0(1)
Authors:Liu Fude Tu Demin Liu Yaonan
Affiliation:Xi'an Jiaotong University
Abstract:
Keywords:Solid dielectrics  Trap  Surface potential measurement
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